2014年10月9日，诺贝尔物理学奖名单出炉，授予赤崎勇、天野浩与中村修二。 

       其中天野浩、中村修二目前从事的紫外发光二极管(以下简称“UV LED”)研究正在被业界逐渐重视，更被认为是LED继白光之后又一新大陆，前景可谓十分乐观。同时据yole的行业发展报告在未来几年内，UV LED行业将以年复合增长率46%的速度发展，毫无疑问UV LED将是LED行业的下一次革命。

　　从2003年日本企业推出第一款UV LED开始，UV LED外延以及芯片技术逐渐得到提升，光电转换效率接近40%～50%(365nm、380nm、395nm)，而且波段逐渐往短波方向发展。如280nm、250nm、210nm的UV LED芯片纷纷出现，并且光输出功率已经达到了初步实用阶段。甚至国产深紫外LED在光电参数上也不落后发达国家。

　　本文将就市场上常见大功率UV LED灯珠封装结构展示一下。

图一：仿流明封装结构的UV LED，采用硅胶模顶透镜，单颗单芯功率1-3W

图二：仿流明封装结构的UV LED，采用硅胶模顶透镜，单颗双芯功率2-6W

图三：3535陶瓷封装结构UV LED，采用硅胶模顶透镜，单颗单芯功率1-5W


图四：3535陶瓷封装结构UV LED，采用石英光学玻璃透镜，单颗单芯功率1-5W



图五：6868陶瓷封装结构UV LED，采用石英光学玻璃透镜，单颗单芯功率4-12W



图六：集成COB装结构UV LED，多芯片集成封装，功率10-500W